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万代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS替料SVGP069R5NSA

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2022-04-20
　　选择到一款合适的MOS管，可以确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果，但不同品牌同一类型的MOS管，如果耐压、导通电阻、封装参数基本一致的话，是可以相互兼容替代的。
　　
　　SVGP069R5NSA是一款N沟道增强型功率MOS场效应管，采用士兰的MOS工艺技术制造。漏极电压VDS：60V，漏极脉冲电流ID：14A，导通电阻RDs(on)(典型值)=8.0mΩ @Vcs=10V具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
　　
　　万代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS替料SVGP069R5NSA参数对比
型号 漏极电压VDS 栅源电压VGS 导通电阻RDS(ON) 漏极脉冲电流ID
SVGP069R5NSA 60V ±20 8.0-9.5mΩ 14A
AO4264E 60V ±20 8.0-9.8mΩ 13.5A
VS6410AS 60V ±20 11-13mΩ 12A
　　
　　万代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS和SVGP069R5NSA都采用SOP-8封装，都是N沟道增强型功率MOS场效应管，耐压、导通电阻万代ao 60v mos管AO4264E和SVGP069R5NSA基本一致，而SVGP069R5NSA在同一电压下，导通电阻RDS(ON)更优于威兆VS6410AS，被广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
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