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铨力AP30H80Q vbus开关MOS获得安克67W 2C1A氮化镓充电器采用

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2023-12-07
　　近日，ANKER安克新推出了一款67W 2C1A氮化镓充电器，设有2C1A输出接口，两个USB-C接口均支持67W快充，VBUS开关管来自铨力，型号AP30H80Q，耐压30V，导阻4.8mΩ，采用PDFN3*3-8L封装，三路均为同一型号。
　　
　　AP30H80Q vbus开关MOS特点　　
　　■ 30V,80A　　
　　■ RDS(on) <4.8mΩ@VGS=10V TYP:4.1mΩ　　
　　■ RDS(on) <9.5mΩ@VGs=4.5V TYP:7.2mΩ　　
　　■ 沟槽技术　　
　　■ 获得无铅产品　　
　　■ 优异的电阻和低栅极电荷
 
　　
 
　　AP30H80Q 是ALLPOWER铨力N沟道增强型MOSFET，短路能力强、低内阻，丝印:30H80Q 采用沟槽技术，漏源电压30V，连续漏极电流80A，典型用于PWM应用，负载开关，电源管理等。
 
　　
　　深圳市骊微电子科技携手铨力半导体，是铨力核心代理商，代理销售铨力ALLPOWER公司全系列产品，铨力MOSFET管产品电压等级覆盖齐全，可满足不同的电压应用需求，广泛应用于消费类电子、通信类电子、新能源、工业类电子等领域。更多产品手册、参数等资料请向我们申请。>>
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